Description
- Tension Drain-Source (Vds) : 600V
- Courant Drain Continu (Id) : 7A
- Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 1,0Ω à Vgs = 10V
- Charge de la grille (Qg) : 38 nC
- Boîtier : TO-220-3
- Technologie : QFET, conçue pour une haute efficacité et une commutation rapide.
Ce MOSFET est idéal pour des applications telles que les alimentations à découpage, le contrôle de moteurs et d’autres systèmes de conversion d’énergie à haute efficacité.
