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TO-220 (13)

TO-247 (2)

TO-92 (2)

DIP (TO-18 ou TO-92 selon modèle) (1)

SOT-23 (Montage de surface) (1)

SOT23 (1)

Standard industriel pour modules IGBT (1)

TO-126 (1)

TO-220 (montage en surface) (1)

TO-220 (traversant, in-line) (1)

TO-220AB (1)

TO-247 (plus large que TO-220) (1)

Type

MOSFET N-Channel (5)

Transistor Darlington PNP (3)

Transistor NPN (3)

MOSFET Canal N (2)

MOSFET Canal P (2)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (1)

IGBT Power Module (1)

MOSFET P-Channel (1)

MOSFET P-Channel (Canal P) (1)

Transistor Darlington NPN (1)

Transistor NPN Darlington (1)

Transistor PNP Darlington (1)

TRIAC (Triode pour courant alternatif) (1)

Modèle

2N2222 (1)

2N5551 (1)

BC547B (1)

BD139 (1)

BT136-600E (1)

IRF1404 (1)

IRF3205 (1)

IRF5210PBF (1)

IRL540N (1)

MJE13003 (1)

SKM100GB128D (1)

TIP142T (1)

TIP147 (1)

TIP147 (boîtier TO-247) (1)

Température de fonctionnement (°C)

-55°C à +150°C (4)

-40°C à +125°C (2)

-55°C à +175°C (1)

-65°C à +150°C (1)

-65°C à 175°C (1)

Jusqu'à 175°C (1)

Conformité RoHS

Oui (6)

Oui (PBF = lead-free) (1)

Gain en courant (hFE)

100 à 300 (typique) (1)

1000 (1)

1000 à 5000 (typique) (1)

1000 typique (1)

110 à 800 (1)

40 à 320 (selon le modèle) (1)

Typiquement 1000 à 5000 (1)

Tension Drain-Source (Vds) (V)

100V (4)

500V (1)

55V (1)

Type de Composant

MOSFET de puissance (1)

Transistor Bipolaire de Puissance (BJT) (1)

Transistor SMD (1)

TRIAC (1)

TRIAC (Triode for Alternating Current) (1)

Résistance à l'état passant (Rds(on))

0.020 Ω max @ Vgs=10V (1)

0.29 Ω typique (1)

0.300Ω max @ Vgs = -10V (1)

Très faible (en mΩ) (1)

Typiquement 0.27 Ω (1)

Référence

BTA16-600B (1)

IRF4905 (1)

IRF520N (1)

TIP120 (1)

Montage

à visser / traversant (1)

Boîtier TO-220 (1)

Through-hole (traversant) (1)

traversant / radiateur possible (1)

Courant Drain (Id) (A)

10A (1)

12A (à 25°C) (1)

36A (1)

57A (à 25°C) (1)

4 autres critères

Courant nominal (A)

100A (1)

12A (1)

16A (1)

Fabricant

International Rectifier (Infineon Technologies) (1)

STMicroelectronics (1)

Tension maximale (V)

600V (1)

600V (RMS) (1)

Polarité

NPN (1)

P-Channel (Canal P) (1)

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Mosfet IRF5210PBF 100V 40A TO-220 – Transistor de Puissance Haute Performance

Mosfet IRF5210PBF 100V 40A TO-220 – Transistor de Puissance Haute Performance

Réf. XZ0568

Découvrez le Mosfet IRF5210PBF 100V, 40A en boîtier TO-220, idéal pour applications de commutation et amplification de puissance. Disponible…

3.000 DT

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