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IRF9530SPBF MOSFET P-Channel 100V 12A TO-220 – Transistor de Puissance Inversé

Category: Transistor

SKU: CE0534

1.800 DT

Le IRF9530SPBF est un MOSFET P-Channel capable de commuter jusqu’à 100V et 12A. Idéal pour les circuits high-side, les alimentations inversées, et les applications à polarité inversée. Boîtier TO-220 pour dissipation facile.

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Spécifications Techniques

✅ Attributs du Produit

Type : MOSFET canal P
Tension Drain-Source (Vds) : 100V
Courant Drain (Id) : 12A (à 25°C)
Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 0.300Ω max @ Vgs = -10V
Tension Gate-Source max (Vgs) : ±20V
Boîtier : TO-220
Technologie : HEXFET
Conformité RoHS : Oui
Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

✅ 1/ Points Forts

✅ MOSFET P idéal pour commande côté haut (high-side)
✅ Supporte 100V et 12A – parfait pour circuits à moyenne puissance
✅ Faible capacité d’entrée → commutation rapide
✅ Boîtier TO-220 avec possibilité de montage sur dissipateur
✅ Fiabilité prouvée – utilisé dans l’industrie, électronique de puissance, véhicules

✅ 2/ Applications Typiques

🔋 Commutation d’alimentation côté positif (high-side)
🔁 Inverseur de polarité automatique
⚙️ Contrôle de moteurs ou relais côté +V
🚗 Applications embarquées (12V/24V)
🔌 Convertisseurs DC-DC synchrones ou linéaires
🏠 Projets domotiques avec gestion de la polarité

✅ 3/ Produits Associés

✅ Driver MOSFET P (ex : IR2110 ou IR2184)
✅ Diode de roue libre rapide (MUR460, FR107)
✅ MOSFET N complémentaire (IRF540N, IRF3710)
✅ Dissipateur thermique TO-220
✅ Résistance de grille (10–100 ohms)

✅ 4/ Description Longue (Optimisée SEO)

Le IRF9530SPBF est un transistor MOSFET à canal P conçu pour des applications de puissance nécessitant une commutation sur le côté haut (high-side) du circuit. Avec une tension drain-source de 100V et un courant drain de 12A, il est adapté pour les circuits d'alimentation, les relais électroniques ou les systèmes embarqués.

Son boîtier TO-220 permet une dissipation thermique efficace, et sa compatibilité RoHS garantit une utilisation conforme aux normes environnementales. Bien que sa résistance Rds(on) soit plus élevée qu’un MOSFET N, il reste une excellente solution pour les circuits nécessitant un MOSFET canal P.

Il peut être commandé directement avec une tension négative via un driver adapté, et utilisé avec des microcontrôleurs en présence d’un étage tampon.

✅ 5/ Problèmes et Solutions

Problème	Solution
Ne commute pas correctement	Tension Vgs insuffisante → utiliser un driver de grille avec -10V
Chauffe	Vérifier le courant et ajouter un dissipateur si nécessaire
Confusion avec MOSFET N	Le canal P commute avec tension négative sur la grille
Perte de charge	Choisir MOSFET N si possible pour des Rds(on) plus faibles

✅ 6/ FAQ – Questions Fréquemment Posées

Q1 : Quelle différence entre MOSFET P et N ?
✅ Un MOSFET P commute côté haut, tandis qu’un MOSFET N commute côté bas.

Q2 : Peut-on l’utiliser avec un Arduino ?
🟡 Oui, avec un circuit tampon ou un driver de grille pour générer la tension négative.

Q3 : Est-ce qu’il supporte les 24V DC ?
✅ Oui, jusqu’à 100V, donc largement compatible avec les systèmes 12V/24V.

Q4 : Peut-il être utilisé en inverseur de polarité automatique ?
✅ Oui, c’est un usage courant du IRF9530 dans les systèmes d’alimentation protégés.